Die Veröffentlichung, an der auch die Universität Wien sowie die Universität Belgrad beteiligt waren, befasst sich mit den Auswirkungen von Polymerrückständen auf das Wachstum dünner organischer Halbleiterschichten auf dem neuartigen, eine Atomlage dicken Material Graphen.
"Prozessbedingte Polymerverunreinigungen auf transferiertem Graphen stellen ein großes technologisches Problem dar, weil diese Reste die eigentlichen Eigenschaften dieses 'Wunder'-Werkstoffes negativ beeinflussen können", erklärt Ao.Univ.-Prof. Dr. Christian Teichert vom Institut für Physik der Montanuniversität. "Insbesondere, wenn Graphen als transparentes, flexibles Elektrodenmaterial in der organischen Elektronik Anwendung finden soll, muss eine perfekte Grenzfläche zwischen den organischen Halbleiterschichten und der Graphenelektrode zustande kommen."
In der aktuellen Arbeit wurde herausgefunden, dass sich mit dem Wachstum spezieller organischer Moleküle die für eine technische Anwendung der Graphenelektroden erforderlichen Reinigungsprozeduren optimieren lassen.
Detailinfos zur Publikation: M. Kratzer, B.C. Bayer, P. R. Kidambi, A. Matkovi?, R. Gaji?, A. Cabrero-Vilatela, R. S. Weatherup, S. Hofmann, C. Teichert: "Effects of polymethylmethacrylate-transfer residues on the growth of organic semiconductor molecules on chemical vapor deposited graphene", Appl. Phys. Lett. 106 (2015) 103101.
Weitere Informationen:
Ao.Univ.-Prof. Dr. Christian Teichert
Institut für Physik der Montanuniversität Leoben
Tel.: +43 3842 402-4663
E-Mail: christian.teichert(at)unileoben.ac.at
